GaN氮化鎵是什麼?有哪些應用?GaN氮化鎵的特色介紹 為什麼充電器會用到它?
現代生活和科技緊密結合,然而隨著時代變遷,不僅是訊息的傳遞需求大幅增加,產品也開始追求更快的速度、更小的尺寸、以及更好的效率。近期,傳統的矽(Si)半導體則因為物理限制的關係,逐漸無法符合市場需求,於是第三代半導體氮化鎵(GaN,鎵音同家)因勢興起,開始應用在快速充電產品、電動車領域。到底氮化鎵(GaN)是什麼,物理特性有那些優勢,目前有哪些應用範圍,未來又會有怎麼樣的發展呢?本篇將依序解答。 GaN充電器選購4大方向:GaN充電器是什麼?如何才能快速充電? GaN是什麼?有哪些特性和優勢? 目前半導體產業以矽(Si)的發展最為成熟,然而當代的科技產品逐漸轉向高頻率、高速度、輕量與小體積,導致
3 年前
真GaN!又小又快 hoda讓你享受極速充電的超快感
隨著科技越來越進步,許多人身旁總是離不開手機、平板及筆電等各種3C產品,當然相對的也就衍伸許多問題,例如:等到海枯石爛手機還沒充飽電、出門還要攜帶各種笨重的充電器、桌面被大大小小的充電器佔滿及插頭位子不夠,還要先拔掉其他充電器的各種惱人狀況!對此,hoda推出了「GaN氮化鎵65W三孔快速充電器」及「30W智慧雙孔快速充電器」,一顆抵多顆充電器,只要用一半的時間就能完成充電! 為什麼充電器要採用GaN氮化鎵呢?相較於傳統的充電器,GaN氮化鎵能夠讓充電器體積減半、能源轉換的效率更高、高功率、低導電耗損、散熱快及充電更加快速的優勢。 這次hoda推出的極速三孔快速充電器,就採用最新黑科技GaN氮
4 年前
NXP 在美國設立全新 6 吋射頻 GaN 晶圓廠,主攻 5G 射頻放大器市場需求
由於 GaN / Gallium Nitride 氮化鎵技術的高效率與訊號穩定特性,當前 GaN 廣泛用於高階變壓器、射頻放大等應用,而 NXP 恩智浦也看好 5G 功率射頻放大器對 GaN 技術的需求,宣布在美國亞利桑納州錢德勒設立 150mm 的 6 吋晶圓廠,主攻 GaN 射頻放大器產業,也是當前美國境內最先進的射頻 GaN 晶圓廠。 ▲ NXP 在亞利桑那設立專注於射頻 GaN 的 6 吋晶圓廠 NXP 強調以發展 20 年 GaN 專業技術與無線通訊的知識結合,能改善辦到體的電子陷阱問題,將對包括 5G 基地台、工業、航太、國防等領域的先進基礎通訊設施帶來創新;同時這座工廠也將作為創
4 年前
Innowatt 65W GaN 氮化鎵USB-C PD快速充電器:小體積、多國接頭還可以擴充三個USB孔
感謝GaN氮化鎵材料的溫控能力,可在65W功率下充電器的溫度不會飆高,因此能創造出超小型體積的大瓦數充電器。以目前業界標準,GaN氮化鎵材料在70W以下都能做到好的小體積溫控,但以上就不行了。所以目前並沒有能滿足 Macbook Pro 16吋的小體機高瓦數的充電頭。 Innowatt 65W GaN 氮化鎵USB-C PD快速充電器,幾乎可滿足了 Macbook Pro 16吋以外、支援PD的充電設備。但和Innowatt的同仁討論之後,包括三星、OPPO和小米等號稱能達到45W以上的高速充電手機,這種第三方的設備不一定能完全相容。 因為不同的產品有其不同的充電控制晶片,所以一顆快速充電器能
5 年前
120W高功率三裝置快充評測:Galio氮化鎵+碳化矽極速充電器
現代人除了人手一機,通常還是「3C 多螢幕」使用者,平板、筆電、智慧型手錶...,每樣電子產品都都需要一顆充電器,無論平時使用或外出攜帶都很麻煩,有辦法整合成一顆,同時還能兼顧充電效率嗎?Galio 120W 氮化鎵+碳化矽極速充電器就可以幫你輕鬆辦到。 導入最新「氮化鎵」科技:體積最小的充電神器 不過,究竟什麼是「氮化鎵」呢?先簡單幫大家科普。Galio 120W 極速充電器,首次採用氮化鎵、碳化矽第三代半導體材料製成,不僅具備耐高電壓、導電性佳、散熱性佳多項優勢,同時還支援 PD3.0、QC4.0+、PPS、SCP、FCP、AFC、PE+等各大主流快充協議,輸出功率最高可達到 120W,相
5 年前
氮化鎵(GaN)是什麼?氮化鎵的應用、特色簡介、高功率快充跟5G都能看到它
5G時代來臨,為了應付新一代網路與應用服務的需求,半導體產業將目標轉向發展氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)等第三代半導體材料。2020年初,台積電宣布將與半導體廠商意法合作,加速GaN製程技術的開發,希望能夠發揮GaN的優勢,在消費性電子產品之外也開始發展如汽車電氣化等未來趨勢。到底氮化鎵GaN是什麼,有那些優勢,又和5G有什麼樣的關係呢?本篇將一一解答。 GaN早期應用於LED領域 與SiC同屬於第三代半導體材料 目前半導體產業以矽(Si)的發展最為成熟,然而隨著時代變遷,不僅是訊息的傳遞需求大幅增加,還追求更快的速度、更小的尺寸,導致傳統的矽基半導體因為物理性質的限制,逐漸無法符合需求。
5 年前
友站推薦
取代矽的次代半導體!日本力挺氮化鎵,估 10年內問世
INSIDE - MoneyDJ理財網
工研院、英商牛津儀器 攜手搶攻氮化鎵化合物半導體市場
INSIDE - 聯合新聞網
台灣 4 晶圓廠因武漢肺炎轉單效應逆勢開紅
INSIDE - 鉅亨網

相關文章