ARM 宣布與台積電完成基於 10nm FinFET 之多核測試晶片

2016.05.19 12:31PM
是ARM 宣布與台積電完成基於 10nm FinFET 之多核測試晶片這篇文章的首圖

ARM 宣布與台積電完成基於 10nm 的多核心 64bit ARM v8-A 測試晶片,並強調相較現行 16nm FinFET+ 製程無論效能、功耗皆再度翻倍;此款測試晶片於 2015 年第四季完成設計定案,並已經成功驗證,包括 EDA 工具、設計流程與方式等設計方案皆已準備完善,同時也提供 SoC 設一人員藉由基礎 IP 開發 SoC ,可實現高效能、低功耗與小面積的設計目標。

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