Intel 宣布與美光 Micron 共同開發 3D Xpoint 技術，藉此而生產的非揮發性記憶體號稱是自 1989 年推出 NAND 記憶體以來全新的記憶體類別，並強調此非揮發性記憶體相較既有 NAND 記憶體擁有千倍的傳輸速度以及千倍的耐用性，密度也相較既有記憶體高出十倍。基於此技術的樣品預計在今年稍後開始送樣至特定客戶。
此 3D Xpoint 是一種不含電晶體的交叉點結構，藉由垂直導體連接達 1,280 億個每密度一位元之高密度配置儲存單元，此技術也具備可堆疊特性，第一世代將堆疊兩層，每個晶粒將可達 128Gb 儲存容量；另外，藉由系統傳送到每個選擇器的電壓作為存取的方式，能夠減少對於電晶體的需求，進而使此技術在提升容量之餘又降低成本；可說此創新非揮發性記憶體技術是以微型化儲存單元搭配高速選擇器，以及交叉點結構還有先進演算法相輔相成下，達到超越既有技術的效能。
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