廠商專區 NAS THECUS skylake 樺賦科技 Thecus 最新產品線支援Skylake處理器及DDR4記憶體 樺賦科技發表旗下機架式NAS(網路儲存裝置)最新陣容 - 12bay NAS N12910 。這款企業級NAS搭載Intel最新Skylake處理器及最新一代記憶體，並擁有絕佳硬體效能、大容量儲存空間、儲存空間擴展技術、跨平台檔案分享及全方位備份功能，為企業用戶提供一個高效能、高傳輸能力的檔案儲存中心。樺賦科技總經理施婉菁表示“Thecus再一次提供最前沿的儲存技術，新一代的硬體升級使企業產能更有效率，並具備更高的可靠性和耐用性。選擇N12910為儲存解決方案的同時也為公司的未來更卓越的選擇。”N12910採用最新Intel Skylake Core i3-6100 3.70 GHz雙核心處理 George Huang 8 年前
開箱評測 Kingston HyperX Predator DDR4-3000 32GB KIT 記憶體大容量就是爽 !!! 隨著 "天湖" Intel Skylake 平台上市近半年以來，DDR4 的能見度也大大的提升了在去年此時 DDR4 還是只有 X99 使用者才能玩的高級玩具隨著在近期 DDR4 與 DDR3 價格開始出現黃金交叉，大家在組裝電腦的選擇上也不需要再執著 DDR3( 在截稿前市面上單條 DDR4-2133 16GB 最低價正殺到 $1699 )再加上比起 DDR3 ~ Intel Skylake 平台可以支援 DDR4 16GB*4也就是說記憶體插好插滿的大容量時代正式來臨 (數大就是美，甚至拿來做 RamDisk 都爽)所以我們入手了截搞日當下市面上唯一單條容量 16GB 且最高時脈預設 DD 傻瓜狐狸 9 年前
新品資訊 mediatek 聯發科 helio lpddr4x helio p20 MWC 2016 ：聯發科 Helio P20 正式發表，主打支援 LPDDR4X RAM 先前就已經預告過的聯發科新一代主流級晶片 Helio P20 藉 MWC 期間正式公布，這款晶片是鎖定低功耗的主流手機市場所規劃，除了以 16nm 製程生產外，還可支援 LPDDR4X (低功耗雙倍數據速度隨機儲存)，整體功耗相較前一代 Helio P10 降低 25% 。 Helio P20 預計 2016 年下半年量產。Helio P20 採用 2.3GHz 真八核 Cortex-A53 架構，搭配 900MHz Mali-T880 GPU ，另支援全球多模 LTE Cat.6 ，以及支援 2x20 CA ( 300Mbps/50Mbps )；另在多媒體功能方面則具備 Lamgiq ISP Chevelle.fu 9 年前
開箱評測 Kingston HyperX Savage DDR4-3000 16GB KIT 小測 隨著 INTEL Skylake 的普及，不鎖頻 CPU ( i7-6700K ) 被證實可玩性大大超過之前的第五代所以市場上又再度吹起了一股超頻的風潮~~~當然了，DDR4 記憶體模組的需求也必然增加雖然目前 DDR4 的記憶體在市面上因各家大廠爭相推出超頻模組 KIT 包，所以可選擇的相當多但目前最高時脈預設 DDR4 - 3000 的選擇在截稿前仍然只有一家也就是我們今天這篇的主角Kingston HyperX Savage DDR4-3000 16GB (8GB*2) KIT這對記憶體是 金士頓 特別針對 Z170A 這顆晶片組特別調教推出的雙通道超頻記憶體掛名在 HYPERX SAV 傻瓜狐狸 9 年前
產業消息 Samsung 三星 ram 記憶體 DDR4 lpddr4 三星宣布 2016 年初將推出 12Gb 之 20nm 行動版 LPDDR4 ，並提供 3GB 與 6GB 兩種封裝 圖片來源： Samsung Tomorrow三星稍早在官方部落格宣布新一代行動版 LPDDR4 記憶體封裝將於 2016 年推出，這款 LPDDR4 採用 20nm 製程，容量達 12Gb ，相較現有的同樣採用 20nm 的 8Gb 封裝容量更大，傳輸速度達 4,266Mbps ，同時能耗降低 20% ，且生產效率比 8Gb 封裝高了 50% 。三星預計採用此技術可在同一封裝中容納 3GB 與 6GB 兩種容量(雙芯與四芯)，且強調既有的 6GB 封裝可輕易的相容到目前的 3GB LPDDR4 記憶體的空間。三星預計，行動版 LPDDR4 記憶體將於近幾年陸續用於超薄型電腦、數位家電、車載平台 Chevelle.fu 9 年前
產業消息 Samsung 三星 dram 記憶體 三星發表 4GB DDR4 之 Mobile DRAM 圖片來源： Samsung Tomorrow目前三星在行動設備用的 DRAM 進展還是處於前段班，而三星官方部落格 Samsung Tomorrow 也趕在今年結束前發表新進度：針對手持設備用的 4GB LPDDR4 ，這款新的記憶體使用 20nm 級製程（官網備註介於 20nm-30nm 之間），僅需 1.1V 的工作電壓，傳輸效能達 3,200Mbps ，比目前 LPDDR3 與 DDR3 高出 50% ，預計 2014 年推出。此款全新的高速低功耗記憶體預計將會用在手機、平板上，也可望提供下一代運算級行動設備提供更高容量與高效能的記憶體，加上三星已經宣示將於明年發表 64bit 架構的處 Chevelle.fu 11 年前
