產業消息 dram 美光 DDR4 lpddr4 LPDDR5 1-Alpha 美光宣布 1α 製程 DRAM 技術正式量產，較 1z 製程提高 40% 容量、首批為 DDR4 記憶體產品 美光宣布全新的 DRAM 記憶體製程技術 1α / 1-Alpha 製程開始進入量產，相較前一代 1z 製程能提高 40% 記憶體容量，首批由美光在台灣晶圓廠生產的產品將為著重運算應用的 DDR4 記憶體以及適用於消費 PC 的 Crucial DRAM 產品，而採用 1-Alpha 的 LPDDR4 記憶體也開始向行動設備商送樣、 2021 年將持續推出採用 1-Alpha 製程技術的其他新產品，未來也將擴展到 LPDDR5 產品。 ▲美光 1Alpha 製程已經開始由位於台灣的晶圓廠開始生產 美光的 1-Alpha 可提供更節能且可靠的記憶體解決方案，尤以強調功耗的 LPDRA Chevelle.fu 4 年前
產業消息 CES消費性電子展 資料中心 美光 DDR4 DDR5 CES 2020 ：美光宣布開始進行 1znm 製程的 DDR5 測試，鎖定資料中心並較 DDR4 提升 85% 性能 隨著新一代資料中心的單一處理器核心數量激增，引發對記憶體需求增加，下一代資料中心平台也開始著手規劃支援新一代記憶體，美光也藉由 CES 之際宣布他們開始測試 DDR5 的 RDIMM 樣品，美光的 DDR5 採用 1znm 製程，性能較現行 DDR4 提升 85% ，同時具備更高的儲存密度，也意味著單一顆粒的容量得以激增；目前美光 DDR5 將會以資料中心為主要目標市場。 ▲ DDR5 與 DDR4 的特性比較(表格截取自美光官網) 相較 DDR4 ， DDR5 的頻寬自 1600-3,200 MT / s 增加到了3200-6,400 MT / s ，並且工作電壓進一步自 1.2V 降低到 Chevelle.fu 5 年前
產業消息 micron 美光 記憶體 lpddr4x 美光擴大 NAND 產能，將率先使用 1z nm 製程生產 DDR4 記憶體 美國美光宣布將率先採用全新的 1z nm 製程生產單顆 16Gb 的 DDR4 記憶體，相較現行 1y nm 製程， 1z nm 製程能夠進一步提升性能並降低成本。此外，位於新加坡的 Fab 10 記憶體生產廠房也在上周完成擴建，預計在 2019 年開始進行量產，不過工廠擴建計畫與生產計劃是評估市場需求後的結果，美光在擴建後並無劇烈增加產能的規劃。 ▲美光在新加坡強化記憶體產線 美光強調 1z nm 製程將達到業界最小尺寸，可作為生產常規型的 DDR4 、針對行動裝置的 LPDDR4 與圖形產品的 GDDR4 產品線等，當前 1z nm 的 16Gb DDR4 相對採用 1y nm 的 DDR Chevelle.fu 5 年前
產業消息 CES消費性電子展 美光 高通 lpddr4x CES 2019 ：看好車載記憶體市場，美光攜高通展示車用級 LPDDR4X 記憶體 近年成為各家車廠與車載技術重點技術展示的 CES ，也顯示汽車產業正大量的迎向科技、轉型成為大型電子產品，作為記憶體大廠的美光也藉今年 CES 攜手高通，展示車載級的 LPDDR4X 記憶體。 美光針對車載需求推出 2GB 到 16GB 的 LPDDR4X ，傳輸速率達 546Gbps ，足以做為車載系統高解析度 3D 顯示、密集運算所需的記憶體頻寬，可為先進駕駛艙、機器視覺系統與先進輔助系統與 AI 運算提供充裕的性能。 同時美光與高通也進一步進行合作，針對高通的第三代 Snapdragon 駕駛座艙平台與美光車載級 LPDDR4X 記憶體進行驗證，同時整合到高通的平台之中作為參考解決方案， Chevelle.fu 6 年前
產業消息 ARM DDR4 宇瞻 看好 Arm 於物聯網、工業與車載領域發展潛力，宇瞻推出 32-Bit DDR4 SODIMM 工業級記憶體 由於 Arm 的政策與 Arm 架構特性，使其在物聯網、工業嵌入式與車載相當火熱，不過由於 Arm 架構處理器多搭配成本較高的內建記憶體，在一些講求儲存空間彈性的應用較難滿足市場需求，宇瞻看到相關的市場潛力，推出可支援 Arm 架構的 32-Bit DDR4 SODIMM 工業級記憶體模組，同時相較市場上針對 Arm 的 DDR3 模組，更有省電與低電壓運作的優點。 宇瞻的 32-Bit DDR4 SODIMM 工業級記憶體是針對 Arm 架構所設計，可搭配恩智浦、 Freescale 、 Marvell 、 Cavium 和 TI 等大廠基於 Arm 架構的處理器使用，同時也支援在中國熱度相 Chevelle.fu 6 年前
產業消息 三星 lpddr4x 三星發表第二代 LPDDR4X DRAM ，較現行晶片更薄且電耗降低 10% LPDDR4X DRAM 是目前所有高階智慧手機的首選，而三星也發表了第二世代的 16bit LPDDR4X DRAM ，雖製程同為 10nm ，不過在同樣傳輸 4,266Mbps 的速率下，功耗較現行世代可降低 10% ，同時晶片也比現行薄 20% 。 第二世代 LPDDR4 DRAM 提供 4 、 6 與 8GB 三種封裝，其中 8GB 由四個 10nm 16Gb LPDDR4X DRAM 以 4 通道構成，傳輸效率達到 34.1GBps ，預計在今年下半年到明年初之間會有新終端裝置導入。 新聞來源：三星 Chevelle.fu 6 年前
產業消息 遊戲 記憶體 DDR4 RGB Ballistix 高度個人化專屬遊戲機 Ballistix Tactical Tracer RGB DDR4遊戲記憶體正式上市 遊戲記憶體品牌 Ballistix 今天宣佈 Tactical Tracer RGB DDR4 記憶體正式上市，DRAM 產品行銷總監 Jim Jardine表示「我們社群的許多成員都喜歡個人化他們的遊戲機」，而全新 Tactical Tracer RGB 模組提供 8GB 和 16GB 兩種密度選擇，遊戲玩家可以使用每個模組上 8 個區域共 16 個 RGB LED 為遊戲增添色彩。電腦改裝高手更可以自訂系統外觀，移除導光棒獲得最大亮度，或 3D 列印專屬的導光棒，高度客製化具有個人風格記憶體。 ▲Ballistix Tactical Tracer RGB DDR4今天正式上市。 搭配Bal Rena C. 7 年前
新品資訊 DDR4 SSD 硬碟 RGB 美光 mx500 可靠、性能再升級，美光 Crucial MX500 與 Ballistix DDR4 Tactical Tracer RGB 記憶體在台推出 美光今日正式在台發表旗下 Crucial 新一代固態硬碟產品 Crucial MX500 與 Ballistix DDR4 Tactical Tracer RGB 記憶體， MX500 提升性能與可靠度；至於 Ballistix DDR4 Tactical Tracer RGB 記憶體則具備 RGB 發光，並具可拆式導光棒可讓玩家客製化設計。 MX500 使用第二代美光 3D NAND 技術，以 64 層堆疊，並採用浮匣技術，並以 CMOS Under the Array 技術將控制器整合在記憶體下，可直接控制記憶體，使效率更為提升。 MX500 採用動態寫入加速技術，使用可改寫的高速單皆儲存 Chevelle.fu 7 年前
新品資訊 amd ryzen Ryzen Threadripper AMD 八核心 Ryzen Theadripper 1900X 登場，雖為入門級但同樣支援 4 通道 DDR4 AMD 今天正式推出入門級的 Ryzen Theadripper 1900X ，具備 8 核心 16 線程，北美售價為 549 美金；雖然架構上會讓人聯想到同為 8C16T 、 3.8GHz-4.0GHz 時脈的 Ryzen 7 1800X ，不過 TDP 從 95W 攀升到 180W ，但卻不像競品低階產品線功能被降階， 1900X 仍具備完整的 64 條 PCIe 通道，還有支援 4 通道記憶體，當然 TR4 晶片槽所搭配的 X399 晶片也比起消費級的 X370 有更豐富的機能。 新聞資訊來源： AMD Chevelle.fu 7 年前
三星將以10nm製程打造8GB LPDDR4記憶體 讓手機可顯示流暢VR內容 繼日前宣布將以10nm製程技術投入處理器量產消息後，三星稍早也透露將以10nm製程技術打造8GB LPDDR4記憶體模組，藉此對應行動裝置越來越高的多媒體使用體驗，以及各類數據緩衝使用需求，並且在顯示解析度與拍攝影像畫素越來越高情況下，提供更為流暢的運作體驗。 在先前透露4K解析度螢幕將成為未來手機規格發展趨勢，同時也宣布旗下10nm製程技術將可用於處理器量產消息後，三星進一步宣布將以10nm製程技術生產8GB LPDDR4記憶體模組，並且以4組16Gb容量的LPDDR4記憶體構成，藉此對應智慧型手機越來越多的資料處理量，讓輕薄手機能以更大記憶體容量處理大量緩衝數據，藉此提供更流暢的高解析影像 Mash Yang 8 年前
