產業消息 micron SSD 美光 3d nand 美光 176 層 3D NAND 正式出貨，容量更大、傳輸速達 1,600MTps 美光宣布旗下 176 層 3D NAND 正式出貨，不僅只是堆疊層數突破新高，架構改善之下使得晶粒尺寸更緊湊，相較競爭對手當前產品高出 40% 層數，但仍藉美光專利 CuA 架構降低層本，將廣泛為手機、車用、消費電子產品與資料中心之固態儲存進一步提升容量，較上一代產品更改善 35% 的讀取與寫入延遲。 美光 176 層 3D NAND 已經開始量產，預計透過 Crucial 消費型 SSD 產品方式進行供貨，預計 2021 年推出採用相同技術的更多新產品。 美光 176 層 3D NAND 結合美光第五代 3D NAND 與第二代替換閘架構，並採用堆疊式替換閘架構、將傳統浮閘式轉換到全新電荷捕 Chevelle.fu 4 年前
產業消息 美光 5G snapdragon 865 LPDDR5 美光第一款整合 LPDDR5 、 NAND 與控制器的 uMCP 模組送樣，為 5G 智慧手機提升效能與延長電池續航 先前小米的雷軍就已經先聲奪人的提到 2020 年的頂級手機將全面搭載 LPDDR5 記憶體，而作為當前第一波 LPDDR5 記憶體供應商的美光也宣布旗下第一款整合 LPDDR5 的 uMCP 多晶片封裝模組正式送樣，並將在第一季把樣品提供給特定合作夥伴，預計將為 2020 年多款支援 LPDDR5 的 5G 手機提供更省電、高效能的儲存技術。 uMCP 是將包括記憶體、儲存與控制三種不同晶片進行整合封裝的產品，藉由整合封裝使其縮減晶片間的傳輸距離，提高傳輸效率與降低功耗；美光全新的 uMCP 採用 1ynm DRAM 的 LPDDR5 記憶體，與使用 512Gb 96 層 3D NAND 顆粒 Chevelle.fu 5 年前
產業消息 micron 美光 記憶體 lpddr4x 美光擴大 NAND 產能，將率先使用 1z nm 製程生產 DDR4 記憶體 美國美光宣布將率先採用全新的 1z nm 製程生產單顆 16Gb 的 DDR4 記憶體，相較現行 1y nm 製程， 1z nm 製程能夠進一步提升性能並降低成本。此外，位於新加坡的 Fab 10 記憶體生產廠房也在上周完成擴建，預計在 2019 年開始進行量產，不過工廠擴建計畫與生產計劃是評估市場需求後的結果，美光在擴建後並無劇烈增加產能的規劃。 ▲美光在新加坡強化記憶體產線 美光強調 1z nm 製程將達到業界最小尺寸，可作為生產常規型的 DDR4 、針對行動裝置的 LPDDR4 與圖形產品的 GDDR4 產品線等，當前 1z nm 的 16Gb DDR4 相對採用 1y nm 的 DDR Chevelle.fu 5 年前
新品資訊 SSD 美光 nvme Crucial 美光 Crucial 擴充產品陣容，首款 NVMe PCIe SSD P1 以 QLC NAND 顆粒登場 雖然說 NVMe PCIe SSD 已經陸續被高階電腦產品採用，不過身為記憶體大廠的美光動作則相對保守許多，直到近期在正式宣布由美光旗下 Crucial 品牌推出第一款 NVMe PCIe SSD 、 Crucial P1 SSD ， Crucial P1 SSD 採用美光 QLC 記憶體顆粒，容量提供 1TB 與 500GB 兩種版本，以及 5 年有限保固支援。 Crucial P1 SSD 可提供最高 2,000MBps 讀取與 1,700MBps 寫入的表現，而在 PCMark 8 的混合模式測試可達到 565MBps 與 5,084 分的表現，藉由搭配 SLC 快取構成動態寫入加速，具 Chevelle.fu 6 年前
新品資訊 CES消費性電子展 美光 SSD 硬碟 美光推出第七世代 Crucial MX500 SSD ，導入第二代 3D NAND 技術 美光宣布推出第七代的 Crucial 固態硬碟產品 Crucial MX500 ，提供 2.5 吋與 M.2 兩種規格，最大容量個別可達 2TB 與 1TB ； Crucial MX500 搭載第二代 Micron 3D NAND 技術，採用 64 層堆疊 256Gb 元件，並透過 CMOS Under the Array / CUA 架構將晶片空間盡可能縮減，僅有 59 平方公釐，但可提供達 560/510 MB/s 的循序讀取/寫入速度及高達 95K/90K IOPS 的隨機讀取/寫入速度。 為解決消費者自既有系統進行資料轉移與安裝問題， MX500 隨附資料移轉與複製軟體，同時提供達 5 Chevelle.fu 7 年前
導入3D NAND 美光消費型SSD容量上推2TB 美光稍早宣布推出採3D NAND技術的1100系列、2100系列SSD產品，藉此將消費型SSD儲存容量一舉提昇至2TB規格。其中在1100系列將分別提供2.5吋SATA介面版本，以及M.2連接埠，而2100系列則以PCIe NVMe形式提供。 針對Ultrabook、平板電腦，以及性能導向的桌機或工作站使用需求，美光 (Micron)宣布推出新款導入3D NAND技術的1100系列、2100系列SSD產品，其中前者將以2.5吋SATA介面版本，或以M.2連接埠形式提供，後者則對應PCIe NVMe形式。 1100系列將採用Marvell 88SS1074控制器，分別對應530MB/s讀取速率與 Mash Yang 8 年前
產業消息 intel micron SSD 儲存 美光 固態硬碟 Intel 宣布與美光共推 3D Xpoint 技術，號稱打造出具既有 NAND 千倍速度、千倍耐用的非揮發性記憶體 Intel 宣布與美光 Micron 共同開發 3D Xpoint 技術，藉此而生產的非揮發性記憶體號稱是自 1989 年推出 NAND 記憶體以來全新的記憶體類別，並強調此非揮發性記憶體相較既有 NAND 記憶體擁有千倍的傳輸速度以及千倍的耐用性，密度也相較既有記憶體高出十倍。基於此技術的樣品預計在今年稍後開始送樣至特定客戶。此 3D Xpoint 是一種不含電晶體的交叉點結構，藉由垂直導體連接達 1,280 億個每密度一位元之高密度配置儲存單元，此技術也具備可堆疊特性，第一世代將堆疊兩層，每個晶粒將可達 128Gb 儲存容量；另外，藉由系統傳送到每個選擇器的電壓作為存取的方式，能夠減少對於 Chevelle.fu 9 年前
科科來文 intel micron 美光 英特爾 快閃記憶體 美光與英特爾率先推出25 nm 3-bit-per-cell NAND 快閃記憶體 業界容量最大、尺寸最小的 NAND 裝置 為眾多消費性儲存應用提供成本優勢 美光科技 (Micron Technology Inc.) 與英特爾 (Intel Corporation) 宣佈推出採用 25 nm 製程技術3-bit-per-cell (3bpc) NAND 快閃記憶體，該 NAND 裝置擁有業界最大容量與最小尺寸。美光與英特爾已送樣給部分客戶，該產品預計在今年年底量產。 與 USB、SD (Secure Digital) 快閃記憶體卡和消費性電子產品相比，新推出的 25 nm 64Gb 3bpc 記憶裝置的成本更低且容量更大。快閃記憶體主要用於儲存資料、照片或其它多媒體，以供電 news.tw 14 年前
