記憶體全攻略 (52467) / 第9頁

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是分析報告指稱Galaxy S10可能搭載12GB記憶體與1TB儲存容量這篇文章的首圖

科技應用 Galaxy s10 記憶體 note 10 galaxy note 10 Samsung Note 10 galaxy note 10+ 三星 Note 10

香港分析報告認為三星Galaxy S10或Note 10可能搭載12GB記憶體與1TB儲存容量

三星S10或者之後的Note 10可能出現搭載12GB記憶體、1TB儲存容量的怪物級手機。在目前Android手機已經出現搭載10GB記憶體規格之後，顯然三星計畫將記憶體容量進一步提高至12GB，而內建儲存容量更將提昇至1TB規格。根據香港廣發證券證券分析報告指出，三星將可能推出記憶體高達12GB，同時內建儲存容量增加至1TB規格的手機產品，有可能應用在明年上半年即將推出的Galaxy S10，或是應用在下半年推出的Galaxy Note 10。在此之前，三星已經在Galaxy Note 9提供最高8GB記憶體，以及內建512GB儲存容量規格，加上目前黑鯊手機在新款黑鯊手機Helo開始採

Mash Yang

6 年前

專家觀點硬科技 CPU AMD 記憶體控制器

硬科技：AMD移除用了17年的整合式記憶體控制器 AMD為何這麼做？

「但有件事反倒需要觀望一下：新的7nm製程CPU SoC區塊究竟保留了多少I/O介面？總不可能單晶粒的桌上型7nm Ryzen也要多包顆I/O處理器吧？」很抱歉，看樣子AMD真的下定決心要包水餃包到底了。「我們等著看這顆看起來還蠻大顆的I/O處理器，AMD會不會真的塞給Global Foundries生產，機率應該不低。」舊愛總是最美，AMD的確選擇了經驗證過的成熟製程。筆者交稿前一篇字數嚴重破表評論後的隔天，Anandtech專訪AMD技術長Mark Papermaster的內容，就直接打臉筆者... 呃，給這2個問題提出肯定的答覆了。對於經歷過那段AMD K8痛電Intel Pen

痴漢水球

6 年前

是Intel證實第9代Core i處理器可透過更新支援高達128GB記憶體容量這篇文章的首圖

科技應用 intel 128gb 記憶體

Intel第9代Core i處理器將更新支援高達128GB記憶體容量呼應高度內容創作與遊戲需求

Intel將釋出更新讓採用第9代Core i系列桌機版處理器可原生對應至128GB DDR4記憶體容量。如同在對應筆電產品使用的第8代Core i處理器加入原生32GB DDR4記憶體定址能力，Intel稍早也確認在對應桌機產品使用的第9代Core i系列處理器中，增加最高可支援128GB DDR4記憶體的設計。不過，就AnandTech網站向Intel求證所取得回應，表示將會在近幾個月內釋出更新，讓採用第9代Core i系列桌機版處理器可原生對應至128GB DDR4記憶體容量，而HP方面則透露旗下搭載新一代Core i處理器的桌機產品將會在今年12月加入支援對應128GB記憶體容量。

Mash Yang

6 年前

產業消息記憶體宇瞻

針對車載、軍工規強固應用，宇瞻推出 XR-DIMM 強固型記憶體

由於車載與軍事、工業級的特殊環境，傳統的 DIMM 記憶體插槽恐無法承受在這些可能面對劇烈震動的環境，宇瞻科技針對這類特殊的需求，推出採用基於板對板連接的強固型記憶體 XR-DIMM ，搭配 300 針連接器與固定孔，避免記憶體在震動與衝擊下導致位移與脫落，提升記憶體訊號傳輸的可靠性。此外針對應用特殊的環境， XR-DIMM 透過密封板對板連接器降低針腳暴露的氧化問題，並可藉由底部填充技術提升抗震與抗熱與抗衝擊能力，此外支援原廠工規寬溫顆粒，搭配內建溫度感測器確保記憶體不受過熱影響，並以敷形塗料、抗硫化，在潮濕、多灰塵與腐蝕性記憶體環境有更好的穩定性，並且連接器符合 MIL-STD-810

Chevelle.fu

7 年前

產業消息 sata sas 東芝記憶體

東芝記憶體公司將推出適用於 SATA 應用的 Value SAS SSD

記憶體解決方案的世界領導者東芝記憶體公司，今天推出顛覆性的新SAS SSD類別，RM5 12Gbit/s value SAS（vSAS）系列具備容量、性能、可靠性、可管理性和資料安全優勢，預期可逐漸取代 SATA SSD。長久以來，SAS 環境一直是企業伺服器和存儲系統的黃金標準。東芝記憶體公司藉由快閃記憶體技術、軟體和控制器設計的垂直整合專長，縮小與 SATA 的成本差距，將RM5最佳化，開創出全新系列的 SSD。SATA 在性能、穩定性和加密選項方面完全無法與SAS媲美。東芝記憶體公司 RM5 vSAS 的系列設計考量到價格和應用，提供經濟實惠及性能更高的解決方案，以克服目前 SATA

Rena C.

7 年前

新品資訊 COMPUTEX台北國際電腦展 SSD 記憶體

Computex 2018：ESSENCORE首度參展推KLEVV消費級RGB記憶體

ESSENCORE是由韓國SK集團所投資的半導體公司，台灣玩家對它應該比較陌生，這也是ESSENCORE首度參加台灣Computex。展示了旗下消費級品牌KLEVV的RGB記憶體，說到KLEVV應該不少玩家就有印象，由於同屬SK集團之原因，KLEVV之記憶體皆使用韓國Hynix的記憶體顆粒，這也是不少人關注的原因之一。水晶般RGB透視效果這次KLEVV產品線中，主打的是CRAS X RGB記憶體，採用不透明且不規則的燈罩造型，據原廠表示，希望能呈現出類似部分遊戲中，水晶般的發光效果。同樣的發光產品還涵蓋了M.2與2.5吋SSD，命名為KLEVV NEO產品線，從記憶體、M.2與2.5吋硬碟

Tandee

7 年前

新品資訊 COMPUTEX台北國際電腦展 ADATA 記憶卡硬碟記憶體固態硬碟

Computex 2018：ADATA水冷RGB記憶體SPECTRIX D80、10W無線充電板CW0100

今年走進Computex會場可以看到不少電競相關產品，這股風潮讓老廠牌也投入資源應戰。威剛旗下XPG品牌推出SPECTRIX D80記憶體，除了有RGB燈效之外還有Hybrid散熱。所謂Hybrid是結合了傳統風冷散熱片，以及透過器蜜封裝的工程液，做為水冷散熱之用。先前這組DDR4記憶體也曾創下5531MHz的超頻紀錄，並可搭配自有軟體或華碩、華擎、技嘉、微星主機板進行燈效同步。 RGB發光的水冷記憶體SPECTRIX D80 SPECTRIX D80是威剛XPG品牌的旗艦記憶體，除了標準的版本外，亦會有特挑的超頻版本。皆為採用Hybrid散熱設計，記憶體頂端有不導電且氣密封裝的電子工程液，底

Tandee

7 年前

產業消息遊戲記憶體 DDR4 RGB Ballistix

高度個人化專屬遊戲機 Ballistix Tactical Tracer RGB DDR4遊戲記憶體正式上市

遊戲記憶體品牌 Ballistix 今天宣佈 Tactical Tracer RGB DDR4 記憶體正式上市，DRAM 產品行銷總監 Jim Jardine表示「我們社群的許多成員都喜歡個人化他們的遊戲機」，而全新 Tactical Tracer RGB 模組提供 8GB 和 16GB 兩種密度選擇，遊戲玩家可以使用每個模組上 8 個區域共 16 個 RGB LED 為遊戲增添色彩。電腦改裝高手更可以自訂系統外觀，移除導光棒獲得最大亮度，或 3D 列印專屬的導光棒，高度客製化具有個人風格記憶體。 ▲Ballistix Tactical Tracer RGB DDR4今天正式上市。搭配Bal

Rena C.

7 年前

新品資訊 toshiba 東芝記憶體

東芝記憶體公司推出2TB NVMe™消費型SSD 提升現有XG5系列

記憶體業界的世界領導者台灣東芝記憶體股份有限公司今正式宣布發表全新XG5-P系列，隨著XG5-P系列的高階型號推出，強化了消費型SSD產品線陣容；此新的NVM Express™ (NVMe™) 消費型SSD，提升現有XG5系列的性能以及將最大容量翻倍到2TB，限量樣品即日起開始出貨給OEM客戶，東芝記憶體預計在2018年的第一季將逐漸增加出貨量。 XG5-P系列也採用了PCIe Express® (PCIe®) Gen3 x 4 lane和NVM Express™新版1.2.1界面，性能表現最快連續讀取可達到3000 MB/s和連續寫入2200 MB/s , 以及隨機讀取320,000 IOP

西編

7 年前

產業消息華為記憶體 Mate9 華為 P10 Plus

華為Mate 9遭爆料記憶體被換成低階版

據傳有消費者購入Huawei華為所推出的Mate 9旗艦級手機，在拆機測試之後發現其手機所使用的快閃記憶體（Flash）規格為UFS 2.0版本，與當初所主打宣傳的UFS 2.1版本有出入。而在之前其實該公司推出的新手機P10 / P10 Plus也出現同樣的問題，令人懷疑華為是否有欺騙消費者的問題存在。（消息來源：Apple Daily） UFS 2.1之讀取速度約為eMMC 5.1之3倍以華為才推出不久的P10 / P10 Plus手機為例，雖然當時主打的快閃記憶體規格是UFS 2.1，但卻有使用者發現某些出貨的手機採用的並不是UFS 2.1，而是效能表現較差的eMMC 5.1。這兩種規

QK小虎

8 年前

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