科技應用 intel EUV ASML 製程技術 18A Intel 完成首台商用高數值孔徑 EUV 微影設備組裝 Intel 完成組裝業界首台商用高數值孔徑極紫外光微影設備，由ASML供應，將應用於 Intel 18A 之後的 14A 製程技術，有望在 2027 年正式啟用。 Intel宣布於美國俄勒岡州希爾斯伯勒的研發基地中，已由研發人員完成業界首台商用高數值孔徑極紫外光微影設備 (High NA EUV)組裝，預計在多項校準工作完成後，計畫於2027年正式啟用，並且將用於Intel 18A之後的Intel 14A製程產品。 此台高數值孔徑極紫外光微影設備是由ASML供應，並且將在下一世代處理器產品扮演關鍵角色，而Intel也將以此設備佈署更進一步的製程技術，並且有助於Intel 18A之後製程技術推進 Mash Yang 1 年前
產業消息 intel 半導體 ASML Intel 20A 曝光機 Intel 18A Intel歡慶ASML的High NA EUV設備抵達俄勒岡工廠，拍攝運送與架設過程短片 Intel在3月2日釋出一段短片，慶祝ASML的High NA EUV曝光設備正式運抵美國俄勒岡工廠並進行安裝，這套系統是Intel於2022年向ASML訂購新一代曝光機TWINSCAN EXE:5200的關鍵元件，是作為Intel於2025年大規模量產NA EUV計畫的一環，特地拍攝短片也可視為Intel半導體向外界信心喊話的宣傳。 ▲運算階段還在保護的箱體綁了紅緞帶 ▲此次的系統為Intel於2022年下定的新一代ASML曝光設備 Intel已在2018年向ASML訂購前一代的TWINSCAN EXE:5000，而TWINSCAN EXE:5200的NA(數值孔徑)為0.55，相較前一代系 Chevelle.fu 1 年前
產業消息 intel 半導體 愛爾蘭 EUV Intel 4 Intel 愛爾蘭 Fab 34新廠順利啟動 Intel 4 製程技術量產，為歐洲首個導入 EUV 微影量產的半導體工廠 Intel 宣布於愛爾蘭的 Fab 34 順利啟動基於 EUV 的 Intel 4 製程，也是歐洲首度在量產階段導入 EUV 的半導體製程；結合 EUV 技術的 Intel 4 製程將用於生產為 AI PC 設計的 Inte Core Ultra ( Meteor Lake )，還有 2024 年基於 Intel 3 的新一代 Intel Xeon 。 Intel Fab 34 的 Intel 4 量產，也進一步作為 Intel 四年五個節點的計畫的里程碑。 作為 Intel 全球晶圓生產鏈的布局， Intel 在愛爾蘭 Leixlip (萊可斯利普)啟用 Fab 34 ，並計畫在德國 Mag Chevelle.fu 1 年前
科技應用 台積電 4nm Snapdragon 898 高通新旗艦處理器 Snapdragon 898 將採三星 4nm EUV製程、Armv9指令集設計 時脈提升版則用台積電改良版 4nm 製程 Qualcomm雖然維持與三星合作，但也會繼續與台積電合作，預期會等到台積電在明年有足夠產能時轉換，因此有可能預計明年中旬後推出的時脈提升版 (可能以Snapdragon 898+為稱)，就會改為台積電改良版4nm製程。 但預期明年推出的時脈提升版將改為台積電4nm製程 先前已經有消息指稱Qualcomm預計在今年底宣布推出，並且以「SM8450」作為型號的下一款旗艦處理器，預期會以Snapdragon 898 (或是Snapdragon 895)為稱，而本身架構依然會維持搭配一組主核 (Prime Core)，搭配三組大核與四組小核設計，而主核運作時脈將提升至3.09GHz，並且採用三星改良 Mash Yang 3 年前
新品資訊 Snapdragon 高通 5nm EUV 高通 Snapdragon 788 處理器最快 3 月底揭曉 採用三星 5nm EUV 製程打造 高通Snapdragon 788處理器將使用三星5nm EUV製程打造，同時也會採用Krto 600系列CPU架構設計，並且支援3200MHz LPDDR5，或是2400MHz LPDDR4X的記憶體規格，而儲存元件則支援UFS 3.1雙通道HS Gear 4規格設計，預計先用於小米11 Lite。 預期率先用於即將亮相的小米11 Lite 從去年底揭曉Snapdragon 888處理器，以及後來公布的Snapdragon 870處理器，Qualcomm似乎也準備公布新款Snapdragon 700系列處理器產品，有可能成為Snapdragon 765系列處理器後繼產品。 依照消息指出，Qua Mash Yang 4 年前
科技應用 qualcomm Snapdragon Snapdragon 870 775G 高通將推出新款 Snapdragon 775G 處理器 採用三星 6nm EUV 製程 年底推出Snapdragon 888處理器，接續推出Snapdragon 870處理器之後，此次若再推出Snapdragon 775G，顯然Qualcomm有一定程度也是為了避免聯發科推出的天璣1200處理器、天璣1100處理器搶奪更多市場。 填補高階至旗艦處理器需求空缺 近期宣布推出Snapdragon 870處理器，藉此降低Snapdragon 888處理器可能會有過熱問題，並且填補高階至旗艦等級處理器空缺之外，Qualcomm似乎準備推出新款高階處理器產品，預期將以Snapdragon 775G為稱。 若沒意外的話，Snapdragon 775G處理器應該就是之前Snapdragon 7 Mash Yang 4 年前
產業消息 5nm RDNA Mali-G78 Exynos 2100 Cortex-X1 三星發表新一代旗艦平台 Exynos 2100 ，採用 5nm EUV 製程、並預告下一款旗艦採 AMD GPU 在即將發表新一代旗艦手機 Galaxy S21 系列前兩天，三星先行發表新一代旗艦 Exynos 平台 Exynos 2100 ，三星強調這是首款採用三星 5nm EUC 製程的旗艦平台，並採用 Arm 客製化效能核 Cortex-X1 搭配 3 核 Cortex-A78 、 4 核 Cortex-A55 的 CPU 核心，此外也首度整合支援 Sub-6GHz 與 mmWave 的 5G 數據機。 ▲下一代 Exynos 確定將採用 AMD GPU 取代行之有年的 Mali 在線上發表會最後，三星預告下一款旗艦級 Exynos 將採用 AMD 的 GPU 架構，應該就是先前雙方簽署合作的 RD Chevelle.fu 4 年前
科技應用 三星 Exynos 2100 Snapdragon 888 5nm EUV FinFET 三星可能將發表用於 Galaxy S21 系列的 Exynos 2100 處理器 以三星 5nm EUV FinFET 製程打造 在運作時脈部分，消息指稱Exynos 2100最高核心運作時脈為2.91GHz，大核運作時脈為2.81GHz，而小核運作時脈則為2.21GHz，與Snapdragon 888相比的話，則在最高時脈高出一些。 同樣以三星5nm EUV FinFET製程打造 在Qualcomm正式揭曉新款旗艦處理器Snapdragon 888之後，三星隨即也透露準備揭曉新款Exynos處理器，預期將會適用於明年推出旗艦手機Galaxy S21系列的Exynos 2100。 三星日前已經在中國市場宣布推出以旗下5nm EUV FinFET製程打造，並且加入支援毫米波連接的Exynos 1080處理器，預期接下來準備 Mash Yang 4 年前
產業消息 三星 10nm 智慧手機 記憶體 LPDDR5 三星量產 10nm EUV 的 16Gb LPDDR5 顆粒，並強調平澤 2 號產線將為下一代先進記憶體重鎮 三星宣布韓國平澤第二產線開始量產 10nm (1z ) EUV 製程的 16Gb LPDDR5 DRAM ，是目前最快且容量最快的行動記憶體，可達 6,400Mbps 的傳輸速度，比起目前主流旗艦機使用的 12Gb LPDDR5 的 5,500Mbps 更快且容量更大。三星預計在 2021 年開始提供基於 1z 16Gb LPDDR5 的 16GB LPDDR5 封裝，將為下一代旗艦手機帶來更強大的效能。 同時，三星 16Gb LPDDR5 透過新一代 1z 製程，比起 1y 製程的 12Gb LPDDR5 的封裝薄 30% ，使智慧手機等行動裝置能夠更纖薄，且僅需 8 顆晶片即可構成 16G Chevelle.fu 4 年前
科技應用 三星 5nm 華為 iphone 12 EUV ASML 三星 5nm 製程技術可能延後 因疫情影響 EUV 微影設備交貨 市場消息指稱蘋果已經向台積電預訂大量5nm製程技術產能，預期將會用於iPhone 12的新款A14處理器，甚至蘋果還一度要求預訂台積電今年第四季的5nm製程技術產能。 市場動態 處理器 相關消息指稱，由於新型冠狀病毒疫情影響，導致三星原本向荷蘭ASML訂購EUV微影設備出口交貨受影響，進而造成其5nm製程技術應用佈署將因此延後。 由於台積電在去年便擴大採購ASML旗下EUV微影設備，採購佔比幾乎高達ASML總出貨量的一半以上，並且計畫應用在今年第二季大規模量產的5nm製程產品，其中包含華為、Qualcomm、AMD，以及蘋果旗下新款處理器，雖然整體多少還是受到疫情影響，但台積電強調5nm製程技 Mash Yang 5 年前
