產業消息 kingston 記憶體 金士頓 DDR4 DDR5 金士頓連續 18 年蟬聯記憶體模組市佔第一，預告 DDR5 記憶體蓄勢待發 金士頓 Kingston 的記憶體是許多 DIY 電腦玩家優先考慮的品牌之一，而根據 TrendForce 公布的 DRAMeXchange 排名，金士頓連續 18 年蟬聯記憶體模組市佔冠軍，並已高達 78.02% 的市佔率壓倒性的領先，且對比去年仍有 2.03% 成長。 ▲金士頓以近 8 成的出貨市佔率再度蟬聯冠軍 金士頓認為在 2020 年初遇到 COVID-19 全球疫情之下，市場對於記憶體需求提升，金士頓在預期市場反應積極採取行動，同時協助合作夥伴消化囤積的零組件庫存，使得金士頓在此情況仍能取得成長；另外長年與 Intel 維持緊密的合作關係，不僅能使品牌記憶體模組有絕佳的相容性，同時 Chevelle.fu 3 年前
產業消息 三星 ram 資料中心 記憶體 DDR5 Sapphire Rapids 三星因應資料中心需求開發 24Gb DDR5 顆粒，能使記憶體模組容量提高到 768GB 三星宣布因應雲資料中心的需求開發 24Gb DDR5 記憶體晶片，能夠使 DDR5 記憶體模組的容量一舉達到 768GB ，這也是三星繼展示使用 16Gb DDR5 晶片構成的 512GB DDR5 記憶體模組後，進一步擴大記憶體顆粒的容量。不過三星還未公布何時開始量產 24Gb DDR5 晶片。 768GB 的模組式透過 8-HI 技術使 8 個 24Gb 晶片透過矽穿孔方式堆疊成 24GB 顆粒，再將 32 個顆粒安裝在記憶體模組上；這也意味著若搭配支援 8 通道的雙伺服器級處理器，能使矽統記憶體達到 12GB 。當然除了 768GB 的最大容量外，此 24Gb 記憶體晶片亦可用於構成 9 Chevelle.fu 3 年前
產業消息 intel x86 hbm DDR5 Xeon Scalable Sapphire Rapid Intel 預告下一代 Xeon Scalable 平台 Sapphire Rapids 將提供 DDR5 與 HBM 記憶體版本， HBM 版本還可再擴充 DDR5 記憶體 Intel 在 ISC 大會公布旗下許多運算級產品的藍圖與 ONE API 的願景，其中在今年發表首款整合深度學習加速的 CPU 、代號 Ice Lake 的第三代 Xeon Scalable 後， Intel 亦藉此機會預告下一代平台 Sapphire Rapids 的部分特色，其中值得關注的是 Sapphire Rapids 除了將支援 DDR5 RAM 外，還將在特定型號提供整合 HBM 記憶體的版本，除了將會是首款整合 HBM 的 x86 CPU 外，此版本仍可擴充 DDR5 記憶體進一步提升容量。 目前包括阿貢國家研究所的美國能源部 Aurora ，以及洛瑟拉莫士國家實驗室的 Cro Chevelle.fu 3 年前
產業消息 COMPUTEX台北國際電腦展 SSD nand 車載 DDR4 lpddr4x DDR5 pcie 4.0 UFS 3.1 Computex 2021 ：美光宣布將推出 176 層的 PCIe Gen4 SSD 產品線，並已著手為 DDR5 平台準備 美光在今年 Computex 宣布推出 176 層 NAND 與 1-alpha 製程的 DRAM 技術的儲存產品，除了針對車用發表 UFS 3.1 通用快閃記憶體儲存產品外，更將 176 層 NAND 應用在新一代的 PCIe Gen4 SSD 產品，規劃多款高速儲存產品線，包括 Micron 3400 與 Micron 2450 兩大產品線。 此外美光也強調 Micron 3400 與 Micron 2450 皆列入 Intel 現代待機認證的合作夥伴入口平台元件清單，能作為打造符合 Intel Athena 計畫的 EVO 認證平台的儲存使用，並同時獲得 AMD PCIe Power S Chevelle.fu 3 年前
產業消息 kingston 金士頓 DDR5 超頻記憶體 Kingston 預告第三季將推出 DDR5 超頻記憶體，可提供超過 1.1V 工作電壓超頻 隨著預計今年底前就會有支援 DDR5 記憶體的桌上型 PC 平台問世，多家記憶體大廠也早已做好準備，而金士頓 Kingston 亦宣布將在第三季推出 DDR5 超頻記憶體，為追求性能的玩家提供更進一步的時脈。 金士頓預告旗下 DDR5 記憶體除了將預載 XMP 設定，板卡廠商亦可透過電源 IC 管理將工作電壓設定到 1.1V 以上，提供記憶體更高的超頻靈活性。 根據傳聞， Intel 將在今年內宣布全新的第 12 代 Core " Alder Lake "平台，除了使用新 LGA1700 插槽以外，其搭配的 600 系列晶片組的高階版本將可支援 DDR5 記憶體，各家記憶體 Chevelle.fu 3 年前
產業消息 Samsung intel AI 機器學習 DDR5 Sapphire Rapids HKMG 為 Intel Sapphire Rapids 備戰，三星宣布完成 HKMG 技術的 512GB DDR5 模組開發 隨著高效能運算需求對傳輸性能提高，不少新一代運算平台也將支援 DDR5 記憶體，就連消費級的 Intel Alder Lake 也將支援 DDR5 記憶體 ，今年各家記憶體品牌也紛紛宣布 DDR5 記憶體模組的計畫；三星也宣布基於 HKMG 技術的 512GB DDR5 記憶體模組開發，相較 DDR4 提升一倍的性能，可達 7,200Mbps 傳輸速度，並且功耗還可降低 13% 。 ▲三星此項 DDR5 記憶體為針對 Sapphire Rapids 最佳化相容開發的產品 三星此次發表的 DDR5 模組是針對超算、 AI 與機器學習的伺服器、資料中心應用所開發，強調與 Intel 共同協作開發， Chevelle.fu 4 年前
產業消息 intel intel core DDR5 Alder Lake PCIe 5.0 PCie 5 預計下半年發表的 Intel 首款大小核處理器 Alder Lake 行銷文宣曝光，單工提高 20% 、多工提高一倍 據國外知名硬體爆料網站 VideoCardz 取得的獨家投影片，預計在今年第四季登場的 Alder Lake 將會有顯著的提升，在全新設計的 Golden Cove 加持之下，單執行緒的性能提高幅度達 20% ，而多工將提高一倍，不過投影片資訊不夠完善，不確定比較的基準是當前的 Comet Lake-S 或是即將發表的 Rocket Lake-S 。 這份投影片提供相當多的資訊，包括 Alder Lake 最高階版本將採 8+8 核設計，由 8 個 Golden Cove 性能核搭配 8 個 Gracemount 節能核構成；值得注意的是 Alder Lake 的 I/O 與記憶體支援亦將全面 Chevelle.fu 4 年前
產業消息 CES消費性電子展 ADATA DDR4 威剛 DDR5 XPG 威剛發表 DDR5 記憶體模組，傳輸達 8400MT/s 雖然目前 DDR4 仍是主流 PC 的記憶體規格，不過如 Intel 已經預計在第 12 代 Core " Alder Lake "支援 DDR5 記憶體，而威剛在其 2021 線上 CES 新聞稿提及，此次威剛將屆線上 CES 期間展示 DDR5 記憶體模組，傳輸效能將達 8,400MT/s ，並具備 1.1V 低電壓、 ECC 功能等。 ▲威剛即將公布的 DDR5 記憶體模組將達 8,400MT/s 性能，圖片為威剛 XPG DDR4 記憶體 過往記憶體世代革新之際，新一代記憶體推出受限技術與成本，有時效能還不見得能與上一世代拉開差距，先前市場預期第一波的 DDR5 記 Chevelle.fu 4 年前
產業消息 CES消費性電子展 資料中心 美光 DDR4 DDR5 CES 2020 ：美光宣布開始進行 1znm 製程的 DDR5 測試，鎖定資料中心並較 DDR4 提升 85% 性能 隨著新一代資料中心的單一處理器核心數量激增，引發對記憶體需求增加，下一代資料中心平台也開始著手規劃支援新一代記憶體，美光也藉由 CES 之際宣布他們開始測試 DDR5 的 RDIMM 樣品，美光的 DDR5 採用 1znm 製程，性能較現行 DDR4 提升 85% ，同時具備更高的儲存密度，也意味著單一顆粒的容量得以激增；目前美光 DDR5 將會以資料中心為主要目標市場。 ▲ DDR5 與 DDR4 的特性比較(表格截取自美光官網) 相較 DDR4 ， DDR5 的頻寬自 1600-3,200 MT / s 增加到了3200-6,400 MT / s ，並且工作電壓進一步自 1.2V 降低到 Chevelle.fu 5 年前
產業消息 DDR5 SK hynix 韓國 SK Hynix 宣布完成 1Ynm 16Gb DDR5 DRAM 開發，預計 2020 年量產 韓國 SK Hynix 宣布完成下一代記憶體規格 DDR5 顆粒的開發，以 1Ynm 製程完成 16Gb DDR5 顆粒，相較 DDR4 具備更高的速度與密度，同時功耗也更低。 SK Hynix 傳輸速度達 5,200Mbps ，頻寬達 41.6GB ，號稱可在 1 秒內傳輸達 11 部 3.7GB 的 HD 影片內容，同時電壓僅 1.1V ，比起 DDR4 可望降低 30% 功耗；不過即便晶片完成開發，考慮到市場需求預期 2020 年才會開始爆發， SK Hynix 的 DDR5 顆粒要到 2020 年才會開始量產。 新聞來源： PC.Watch Chevelle.fu 6 年前
