
三星搶先台積電 宣布開始生產 3nm 製程晶片
相較先前的5nm製程,三星強調3nm製程約可降低45%能耗,並且讓運算效能提升25%,晶片佔用面積約可縮減16%,預期可應用在更輕薄手機產品,或是更小裝置使用。 趕在6月結束之際,三星宣布已經開始開始生產3nm製程晶片,象徵在製程技術發展領先競爭對手。 三星的3nm製程技術基於環繞式閘極 (Gate-All-Around,GAA)電晶體架構設計,相比台積電目前採用的鰭式場效電晶體 (Fin Field Effect Transistor,FinFET)能讓晶片發揮更高運算效能,並且能藉由降低電壓提升能源效益。 相較先前的5nm製程,三星強調3nm製程約可降低45%能耗,並且讓運算效能提升25%
3 年前