
三星將於2024年上半年量產36GB HBM3e 12H,採用12層堆疊、達1,280GB/s頻寬
不讓美光8層堆疊的HBM3e專美於前,三星宣布業界首款12層堆疊的HBM3e 12H DRAM,將容量推進至36GB,對於高效能運算、AI加速器等產品相較HBM3 8H可提升達50%的記憶體容量,同時傳輸頻寬一舉提升至1,280GB/s,預期相較HBM3 8H於AI領域可提高34%訓練性能、推論的同時用戶數則可提高11.5倍。三星HBM3e 12H已經送樣,預計2024年上半年量產 ▲三星HBM3e 12H將於2024年上半年量產 三星HBM3e 12H採用TC NCF(熱壓非導電薄膜)技術,使12層堆疊與8層堆疊的高度相同,滿足當前HBM封裝需求,TC NFC將為更多層堆疊帶來優勢,尤其可減
1 年前